SEAnews 2007-03-09 ArtNo.39176

【ニューデリー】光学ディスク大手Moser Baerは3月5日、薄膜太陽光発電モジュール製造施設(thin film solar fab)の設置計画を発表した。インド政府は最近、半導体とマイクロ／ナノテクノロジーへの投資を奨励する政策を発表しており、同社の計画はこれに答える形になった。
エコノミック・タイムズ、ヒンドゥー・ビジネス・ライン、ビジネス・スタンダード、デカン・ヘラルドが3月6日報じたところによると、New Delhiに本拠を置くMoser Baerは米国企業Applied Materialsと技術提携し、ウッタルプラデシュ州Greater Noidaに大面積薄膜太陽光発電モジュール製造施設を設置する。同社は今後3年間に2億5000万米ドルを同プロジェクトに投資する。
当初の生産能力は40MWで、2008年3月から量産に着手、2009年までに200MWに拡大する。薄膜太陽光発電モジュールはエネルギーファームや農村における利用に適しているとされる。
同社の完全出資子会社Moser Baer Photo VoltaicのRavi Khanna最高経営責任者(CEO)によると、世界的には1.4平米のガラスパネルが主流だが、同社は5.7平米を計画している。Moser Baerは同プロジェクトの年間売上げを1億米ドルと見込んでいる。目下のところ西欧、日本、米国西部が太陽光発電の主要市場で、当初は輸出市場の開拓に力を入れる。
政府が最近発表した半導体投資奨励策には太陽光発電に対する支援も含まれている。Moser BaerのYogesh Mathur最高財務責任者(CFO)によると、第1期分投資額は約1億米ドルと見積もられ、うち50％を銀行借入、30％をMoser Baer自身の拠出金と第3者資金で賄い、残る20％は政府の支援を期待していると言う。